為英偉達(NVDA.US)提供HBM芯片的SK海力士表示，已與美國商務部簽署一項初步協議，擬獲得至多4.5億美元的直接融資，并獲得5億美元的潛在貸款，以幫助在印第安納州建立一個半導體封裝生產基地。公司表示，將通過美國《芯片和科學法案》簽署的非約束性初步備忘錄獲得資金。

另外，SK海力士計劃通過“投資稅收抵免”(Investment tax Credit)計劃，向美國財政部申請最高相當于符合條件的資本支出的25%的稅收優惠。

SK海力士表示，為滿足提供AI存儲器產品的計劃，將按計劃推進印第安納州生產基地的建設。

SK海力士今年4月宣布，計劃投資38.7億美元在美國印第安納州建立先進封裝生產基地。這一舉措預計將創造約1000個就業崗位。

該巨頭還將與普渡大學等當地研究機構合作，進行半導體研究和開發。SK海力士CEO郭魯正表示:“我們正與印第安納州、普渡大學、美國企業合作伙伴一起，推進印第安納州生產基地的建設，以最終通過西拉法葉城提供尖端人工智能存儲器產品。”

當前，人工智能應用領域需求不斷增加，HBM芯片在其中占據著重要地位，值此之際，SK海力士應運大舉投資。

上個月有報道稱，SK海力士計劃在2028年之前投資103萬億韓元(約合748億美元)，以加強其芯片業務，大約80%的資金將用于投資HBM芯片。全球HBM芯片市場由SK海力士、三星主導，其次是美國芯片制造商美光科技(MU.US)。

該公司還決定投資約9.4萬億韓元(約合68億美元)在韓國龍仁市建立第一家芯片工廠。

《芯片法案》的資助旨在增加美國半導體制造和研究，尤其是在先進半導體方面。目前，包括英特爾(INTC.US)、三星、臺積電(TSM.US)和美光在內的多家公司皆通過該法案獲得了大量資金。